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2SD855O

更新时间： 2024-01-06 12:12:38

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无锡固电 - ISC		/
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2页	236K
描述
Transistor

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2SD855O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD855O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD855

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB760

APPLICATIONS

·Medium power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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