2SD856P

更新时间： 2024-01-11 01:34:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SD856P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD856

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB761

APPLICATIONS

·Designed for AF power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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