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2SD2150

更新时间： 2025-09-22 18:53:43

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
4页	396K
描述
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 3000; BVCBO(V) : 40; BVCEO(V) : 20; BVEBO(V) : 6; Min : 180; Max : 560; VCE (sat) (v) : 2; Package Outline : SOT-89;

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2SD2150 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

LOW FREQUENCY TRANSISTER (20V,3A)

2SD2150

FEATURES

Low V_CE(sat):V_CE(sat)=0.2V(Typ.)

(I_C/I_B=2A/0.1A).

Excellent current gain characteristics.

Complements the 2SB1424.

Structure

Epitaxial planar type NPN silicon transistor.

SOT-89

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SD2150

Marking

CFR

Package Code

SOT-89

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

A(DC)

Collector Current -Continuous

Collector power dissipation

Junction Temperature

A(Pulse)^*1

P_C

T_j

0.5

℃

150

Storage Temperature

T_stg

-55 to +150

*1 Single pulse Pw=10ms

www.dgnjdz.com

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