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2SD2101

更新时间: 2024-11-21 07:31:39
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3页 41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD2101 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.6
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

2SD2101 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD2101  
DESCRIPTION  
·With TO-220Fa package  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·Low frequency power amplifier  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol  
3
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector -emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
200  
200  
7
UNIT  
V
V
V
A
A
Open base  
Open collector  
10  
ICP  
Collector current peak  
15  
TC=25  
Ta=25℃  
30  
PC  
Collector power dissipation  
W
2
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55~150  
Tstg  

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