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2SD2101

更新时间： 2024-10-01 06:18:07

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管放大器局域网
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3页	75K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2101 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD2101

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·DARLINGTON

APPLICATIONS

· Low frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

200

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

200

Open collector

I_CP

Collector current peak

T_C=25℃

T_a=25℃

℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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