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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2010T105A | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2010T105B | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2010T105C | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2011 | ROHM |
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1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SD2011A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SD2011B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SD2011C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SD2011T105 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2011T105A | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SD2011T105B | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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