5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2012-BP
2SD2012-BP PDF预览

2SD2012-BP

更新时间： 2024-09-15 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 777K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220F, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2012-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SD2012-BP 数据手册

 浏览型号2SD2012-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2012-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD2012-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
2SD2012  
Features  
·
·
High DC Current Gain: hFE(1) =100 (Min.)  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.0V (Max.)  
·
·
High Power Dissipation: PC=25W (TC=25OC)  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·Maximum Ratings  
TO-220  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Rating  
60  
60  
7.0  
3.0  
Unit  
V
V
V
A
C
B
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
S
F
Q
T
IB  
Base Current  
0.5  
A
Collector power dissipation  
A
PC  
T =25OC  
2.0  
25  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
A
U
T =25OC  
C
OC  
OC  
1
2
3
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TSTG  
H
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
60  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
100  
100  
Vdc  
uAdc  
uAdc  
V
L
(I =50mAdc, IB=0)  
J
C
D
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
R
(VCB=60Vdc,I =0)  
E
N
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
(VEB=7.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
Forward Current Transfer ratio  
100  
20  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
320  
---  
---  
---  
INCHES  
MM  
(I =0.5Adc, VCE=5.0Vdc)  
C
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
NOTE  
DIM  
MIN  
MAX  
.625  
Forward Current Transfer ratio  
A
B
C
.560  
.380  
.140  
15.88  
10.67  
4.82  
.420  
.190  
(I =2.0Adc, VCE=5.0Vdc)  
C
3.56  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =2.0Adc, I =0.2Adc)  
0.4  
0.75  
3.0  
35  
1.0  
1.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
G
H
J
(I =0.5Adc, VCE=5.0Vdc)  
C
.012  
0.30  
fT  
Transition Frequency  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
(VCE=5.0Vdc, I =0.5Adc)  
C
Cob  
Collector Output Capacitance  
---  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
.045  
1.15  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

中文翻译

下载PDF

与2SD2012-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2012FM TOSHIBA

获取价格

 		Audio Frequency Power Amplifier Applications
2SD2014 ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2014 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2014 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2014 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series
2SD2014_01 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2015 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and Gen
2SD2015 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2015 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2015 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors

与2SD2012-BP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证