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2SD2014

更新时间： 2024-09-15 20:17:23
品牌 Logo 应用领域
急速微 - ALLEGRO 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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2SD2014 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.067
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：25 W
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

2SD2014 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D2 0 1 4  
(3kΩ)(200Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1257)  
Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
2SD2014  
Symbol  
ICBO  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SD2014  
10max  
10max  
80min  
Conditions  
Unit  
µA  
mA  
V
±0.2  
Unit  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
120  
VCB=120V  
V
80  
IEBO  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
6
IC=10mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
4
0.5  
VCE=2V, IC=3A  
IC=3A, IB=3mA  
IC=3A, IB=3mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V, f=1MHz  
2000min  
1.5max  
2.0max  
75typ  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
IB  
A
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
COB  
Tstg  
45typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
C E  
b. Lot No.  
30  
10  
3
10  
–5  
10  
–10  
1.0typ  
4.0typ  
1.5typ  
–
–
–
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
4
3
2
1
0
4
3
2
1
0
2
1
0
0
1
2
3
4
0.2  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
20000  
20000  
10000  
5000  
10000  
5000  
Typ  
1000  
500  
1000  
500  
1
100  
100  
50  
30  
50  
30  
0.5  
1
5
10  
50 100  
Time t(ms)  
500 1000  
0.03  
0.1  
0.5  
1
4
0.03  
0.1  
0.5  
1
4
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
fT IE Characteristics (Typical)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=10V)  
25  
20  
10  
5
120  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
100  
80  
1
150x150x2  
100x  
Typ  
60  
0.5  
10  
40  
50x50x2  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
–0.02  
–0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–4  
3
5
50  
100  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
139  
1

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