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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2016
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2SD2016

更新时间： 2024-09-14 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体继电器晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Igniter, Relay and General Purpose)

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2SD2016 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FM20, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.24Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：90 MHz
Base Number Matches：1

2SD2016 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D2 0 1 6  
(2kΩ)(200Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
Application : Igniter, Relay and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Unit  
µA  
mA  
V
2SD2016  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
2SD2016  
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
10max  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
VCB=200V  
V
10max  
200  
IEBO  
VEB=6V  
V
200min  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
1000 to 15000  
1.5max  
2.0max  
90typ  
VCE=4V, IC=1A  
IC=1A, IB=1.5mA  
IC=1A, IB=1.5mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V, f=1MHz  
3
0.5  
A
V
V
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
A
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
±0.15  
±0.15  
1.35  
1.35  
40typ  
Tstg  
COB  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
C E  
–
–
–
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
3
3
2
1
0
2
1
2
1
0
0
0
1
2
3
4
0.2  
1
3
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
j-a t Characteristics  
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
hFE IC Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
10000  
10000  
5000  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
100  
50  
1
100  
50  
10  
0.03  
0.5  
1
5
10  
50 100  
Time t(ms)  
500 1000  
0.1  
0.5  
1
3
0.5  
Collector Current IC(A)  
0.03  
0.1  
1
3
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
80  
60  
40  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
150x150x2  
100x  
20  
0
50x50x2  
Without Heatsink  
2
0
–0.01  
–0.05 –0.1  
–0.5 –1  
–3  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
141  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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