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2SD1898

更新时间： 2024-02-01 15:28:20

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD1898 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SD1898 数据手册

RoHS

2SD1898

SOT-89

1. ^BASE

2SD1898 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

High VCEO

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

High IC

Good hFE linearity

Low VCE (sat)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

100

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_C

500

150

-55-150

T_J

℃

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

100

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)CBOI_C=50μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=50μA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=80V, I_E=0

V_EB=4V, I_C=0

μA

DC current gain

V_CE=3V, I_C=0.5A

390

0.4

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=500mA, I_B=20mA

V_CE=10V, I_C=50mA, f=100MHz

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

100

MHz

Output capacitance

Cob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

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