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2SD1898

更新时间： 2024-01-23 09:04:29

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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1页	311K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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2SD1898 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SD1898 数据手册

2SD1898

TRANSISTOR (NPN)

SOT-89-3L

FEATURES

High Breakdown Voltage and Current

Excellent DC Current Gain Linearity

Complement the 2SB1260

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

100

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

℃/W

℃

R_θJA

T_j

250

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

100

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=50µA,I_E=0

I_C=1mA,I_B=0

I_E=50µA,I_C=0

V_CB=80V,I_E=0

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=3V, I_C=500mA

I_C=500mA,I_B=20mA

V^CE=10V,I^C=50mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

390

0.4

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

100

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

82–180

120–270

180–390

MARKING

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

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