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2SD1898

更新时间： 2024-01-20 13:16:18

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	345K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SD1898 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SD1898 数据手册

2SD1898

NPN Silicon

Elektronische Bauelemente

Epitaxial Planar Transistor

RoHS Compliant Product

Description

SOT-89

The 2SD1898 is designed for switching applications.

Millimeter

Min. Max.

3.00 REF.

REF.

Min.

4.4

Max.

4.6

4.05

1.50

1.30

2.40

0.89

4.25

1.70

1.50

2.60

1.20

1.50 REF.

0.40

1.40

0.35

0.52

1.60

0.41

5q TYP.

0.70 REF.

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25к

Parameter

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

Ratings

Unit

+150

Tstg

-55 ~ +150

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

VCBO

100

5.0

VCEO

VEBO

Collector Current

IC_P(Single pulse Pw=20ms)

Total Power Dissipation

500

Characteristics at Ta = 25к

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

100

IC=50uA

BVCEO

BVEBO

ICBO

IC=1mA

IE=50uA

VCB=80V

IEBO

VEB=4V

VCE(sat)

hFE

400

390

IC=500mA, IB=20mA

VCE=3V, IC=500mA

100

MHZ

VCE=10V,IC=50mA,f=100MHZ

VCB=10V,IE=0, f=1MHz

Cob

Classification Of hFE

Rank

hFE

82-180

120-270

180-390

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

08-May-2007 Rev. A

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