2SD1863

更新时间： 2024-09-14 22:52:47

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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4页	92K
描述
Power Transistor (80V, 1A)

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2SD1863 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-609代码：	e1
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1863 数据手册

2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F

Transistors

Power Transistor (80V, 1A)

2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 /

2SD1381F

!Features

!External dimensions (Units : mm)

CEO CEO

1) High V

, V

=80V

2SD1898

2) High I , I =1A (DC)

+0.2

4.5

−0.1

+0.2

−0.1

1.5

3) Good h linearity

1.6±0.1

4) Low V (sat)

5) Complements the 2SB1260 /

2SB1241 / 2SB1181

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5±0.1

3.0±0.2

0.4±0.1

1.5±0.1

0.4±0.1

1.5±0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

!Structure

Epitaxial planer type

NPN silicon transistor

Abbreviated symbol : DF

2SD1768S

4±0.2

2SD1733

2±0.2

0.2

2.3

6.5

0.2

−

0.1

C0.5

0.2

5.1

−

0.1

0.5±

0.1

+0.15

−0.05

0.45

0.65±0.1

0.75

0.9

0.2 2.3±

+0.15

+0.4

0.55

±0.1

0.45

2.5

0.5

−0.05

−0.1

2.3±

0.2

1.0±0.2

(1) (2) (3)

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

2SD1863

2SD1381F

2.5±0.2

7.8±0.2

3.2±0.2

6.8±0.2

Front

3.3

Back

3.19

1.6

C0.7

0.65Max.

0.95

1.75

0.5±0.1

0.8

(1) (2)

(3)

2.54

2.3±0.5

2.3±0.5 0.7±0.1

1.76±0.5

1.05

0.45±0.1

(1) (2)(3)

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : ATV

ROHM : TO-126FP

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