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2SD1861TV4/A

更新时间: 2024-09-14 17:00:23
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

2SD1861TV4/A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):2 A配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1000JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1861TV4/A 数据手册

 浏览型号2SD1861TV4/A的Datasheet PDF文件第2页 

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