2SD1633

更新时间： 2024-11-03 22:52:47

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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

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2SD1633 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1500	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1633 数据手册

Power Transistors

2SD1633

Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

Unit: mm

For voltage switching

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 ^0.2

■ Features

• High-speed switching

φ 3.1 0.1

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

1.3 0.2

1.4 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

+0.2

–0.1

0.5

0.8 0.1

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

100

2.54 0.3

5.08 0.5

100

1: Base

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-67

2 3

Collector current

I_C

I_CP

I_B

Peak collector current

Base current

0.5

TO-220F-A1 Package

Internal Connection

Collector power dissipation

P_C

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter sustaining voltage ^*V_CEO(SUS)I_C= 0.2 A, L = 25 mH

100

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cut-off current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 100 V, I_E= 0

V_CE= 100 V, I_B= 0

V_EB= 7 V, I_C= 0

100

µA



Forward current transfer ratio ^*

V_CE= 3 V, I_C= 3 A

1500

15 000

1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 3 mA

V_BE(sat)I_C= 3 A, I_B= 3 mA

2.0

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 1 A, f = 1 MHz

MHz

µs

I_C= 3 A, I_B1= 3 mA, I_B2= −3 mA

V_CC= 50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Rank classification

2: V_CEO(SUS)test circuit

Rank

50 Hz/60 Hz

mercury relay

h_FE

1500 to 6000 5000 to 15000

120 Ω

1 Ω

6 V

15 V

Publication date: March 2003

SJD00207AED

12 3 4

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