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2SD1633Q

更新时间： 2024-11-04 20:30:27

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无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
Transistor

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2SD1633Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SD1633Q 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1633

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·DARLINGTON

·High speed switching

·Good linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

100

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current (DC)

Open base

100

Open collector

I_CM

I_B

0.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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2SD1634Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186
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