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2SD1630

更新时间: 2024-11-03 22:01:43
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日电电子 - NEC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

2SD1630 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:70 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1630 数据手册

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