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2SD1632

更新时间： 2024-11-04 06:18:35

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1632 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SD1632 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1632

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage ,high speed

·Built-in damper diode

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For horizontal deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

UNIT

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_BM

3.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

130

-55~130

T_stg

12 3

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