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2SD1632

更新时间: 2024-02-01 09:47:59
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 123K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1632 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
Base Number Matches:1

2SD1632 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD1632  
DESCRIPTION  
·
·With TO-3PFa package  
·High voltage ,high speed  
·Built-in damper diode  
·Wide area of safe operation  
APPLICATIONS  
·For horizontal deflection output applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
3
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
1500  
5
UNIT  
V
Open collector  
V
4
A
ICM  
Collector current-peak  
Base current  
15  
A
IBM  
3.5  
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
70  
W
Tj  
130  
-55~130  
Tstg  

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