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2SD1630K

更新时间: 2024-11-03 23:20:27
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126

2SD1630K 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.35Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:70 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):8000JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1630K 数据手册

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