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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1630K-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1630L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1630-L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1630L-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1630M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1630-M | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1631 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD1631(TPF2) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SD1631(TPF2,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)CEO,1.5A I(C),SC-71 |
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| 2SD1631(TPF2,Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)CEO,1.5A I(C),SC-71 |
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