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2SD1221-Y(2-7J1A)

更新时间： 2024-11-02 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SD1221-Y(2-7J1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1221-Y(2-7J1A) 数据手册

浏览型号2SD1221-Y(2-7J1A)的Datasheet PDF文件第2页

2SD1221

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Diffused Type (PCT process)

2SD1221

Audio Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

Low collector saturation voltage

: V = 4.0 V (typ.) (I = 3 A, I = 0.3 A)

CE (sat)

High power dissipation: P = 20 W (Tc = 25°C)

Complementary to 2SB906

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

0.5

Base current

Ta = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

Tc = 25°C

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

TOSHIBA

2-7B1A

Weight: 0.36 g (typ.)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

2002-07-23

12 3 4

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2SD1222(2-7J1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SD1222(SM)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,40V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
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