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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 基于收集器的最大容量： | 25 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 170 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1020-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1020-M-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1021 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1021E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1021F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1021H | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1021J | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1021M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1022 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1022 | SHINDENGEN |
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Darlington Transistor(5A NPN) |
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