2SD1022

更新时间： 2024-11-20 06:20:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	228K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1022 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1022 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1022

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 100V(Min)

·High DC Current Gain

: h_FE= 1500(Min) @I_C= 3A

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for general purpoe amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CP

I_B

0.5

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

4.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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