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2SD1025_15

更新时间： 2024-11-21 01:20:19

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Silicon Power Transistors

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2SD1025_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon Power Transistors

2SD1025

DESCRIPTION

·DARLINGTON

·With TO-220 package

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

200

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

200

Open collector

I_CM

I_B

Collector current-Peak

Base current

0.5

I_BM

P_T

Base current-Peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.0

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

JMnic

12 3

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