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2SD1025

更新时间： 2024-11-20 06:26:47

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	100K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1025 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1025

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High DC current gain

·DARLINGTON

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

200

UNIT

Open emitter

Open base

ꢀ

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

0.5

I_BM

Base current-Peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.0

P_T

T_C=25ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

2.5

ꢀ/W

j-C

12 3

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