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2SD1023

更新时间: 2024-11-19 22:35:55
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 294K
描述
Darlington Transistor(5A NPN)

2SD1023 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1500JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:30 W
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:CHOPPER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz最大关闭时间(toff):13000 ns
最大开启时间(吨):2000 nsVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SD1023 数据手册

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SHINDENGEN  
Darlington Transistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SD1023  
Case : TO-220  
Unit : mm  
(T5L20)  
5A NPN  
RATINGS  
Absolute Maximum Ratings  
Item  
StorageTemperature  
Symbol  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Conditions  
Ratings  
-55~+150 ℃  
Unit  
JunctionTemperature  
CollectortoBaseVoltage  
CollectortoEmitterVoltage  
+150  
200  
200  
7
V
V
EmittertoBaseVoltage  
CollectorCurrent DC  
V
I
C
5
A
CollectorCurrent Peak  
BaseCurrent DC  
I
I
8
0.5  
A
A
CP  
B
BaseCurrent Peak  
TotalTransistorDissipation  
MountingTorque  
I
1
A
W
Nm  
BP  
PT  
TOR  
Tc = 25℃  
30  
0.5  
(Recommendedtorque:0.3Nm)  
●Electrical Characteristics (Tc=25℃)  
Item  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
I
Conditions  
VCB =200V  
Ratings  
M ax 0.1  
M ax 0.1  
M ax 5  
Unit  
mA  
CBO  
VCE =200V  
I
CEO  
EmitterCutoffCurrent  
DC CurrentGain  
I
EBO  
VEB = 7V  
mA  
hFE  
VCE =3V, I = 3A  
C
Min1,500  
Max30,000  
M ax 1.5  
M ax 2.0  
Max4.17 ℃/W  
TYP 20  
M ax 2  
CollectortoEmitterSaturationVoltage  
BasetoEmitterSaturationVoltage  
ThermalResistance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
θjc  
I = 3A  
C
V
V
I =5mA  
B
Junctiontocase  
TransitionFrequency  
f
VCE =10V, I = 0.5A  
C
M Hz  
T
Turn on Time  
ton  
I = 3A  
C
StorageTime  
Fall Time  
ts  
I =I =5mA  
B1 B2  
M ax 8  
M ax 5  
μs  
RL =10Ω  
VBB2 = 4V  
tf  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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