2SD1025

更新时间： 2024-11-20 07:31:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1025 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1025 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1025

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High DC current gain

·DARLINGTON

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

200

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

0.5

I_BM

Base current-Peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.0

P_T

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

j-C

12 3

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