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2SD1022

更新时间: 2024-11-23 22:35:55
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新电元 - SHINDENGEN 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 278K
描述
Darlington Transistor(5A NPN)

2SD1022 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1500
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:30 W
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:CHOPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
最大关闭时间(toff):8000 ns最大开启时间(吨):2000 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1022 数据手册

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SHINDENGEN  
Darlington Transistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SD1022  
Case : TO-220  
Unit : mm  
(T5L10)  
5A NPN  
RATINGS  
AbsoluteMaximum Ratings  
Item  
Symbol  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Conditions  
Ratings Unit  
-55~+150 ℃  
StorageTemperature  
JunctionTemperature  
CollectortoBaseVoltage  
CollectortoEmitterVoltage  
EmittertoBaseVoltage  
CollectorCurrent DC  
+150  
100  
100  
7
V
V
V
I
C
5
A
CollectorCurrent Peak  
BaseCurrent DC  
I
I
B
8
0.5  
1
A
A
A
CP  
BaseCurrent Peak  
TotalTransistorDissipation  
MountingTorque  
I
BP  
Tc = 25℃  
PT  
TOR  
30  
0.5  
W
Nm  
(Recommendedtorque:0.3Nm)  
●ElectricalCharacteristics(Tc=25℃)  
Item  
CollectorCutoffCurrent  
Symbol  
I
Conditions  
VCB =100V  
Ratings Unit  
Max 0.1  
Max 0.1  
mA  
CBO  
I
CEO  
VCE =100V  
EmitterCutoffCurrent  
DC CurrentGain  
VEB =7V  
I
Max5  
Min1,500  
Max30,000  
Max 1.5  
mA  
EBO  
hFE  
VCE =3V, I =3A  
C
CollectortoEmitterSaturationVoltage  
BasetoEmitterSaturationVoltage  
ThermalResistance  
V (sat) I =3A  
V
V
C
CE  
VBE(sat)  
θjc  
I =3mA  
B
Max 2.0  
Junctiontocase  
Max4.17 ℃/W  
TYP 20 MHz  
Max2  
TransitionFrequency  
f
ton  
VCE =10V, I =0.5A  
C
T
TurnonTime  
I =5A  
C
StorageTime  
FallTime  
ts  
I =I =5mA  
B1 B2  
Max5  
Max3  
μs  
RL =5Ω  
VBB2 =4V  
tf  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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