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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1007HP-T2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-243 |
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| 2SD1007HQ | ETC |
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BJT |
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| 2SD1007HQ-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-243 |
|
| 2SD1007HQ-AZ | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SD1007HQ-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-243 |
|
| 2SD1007HR | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SD1007HR-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD1007-P | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SD1007-P-HF | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
|
| 2SD1007-Q | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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