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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1010
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2SD1010

更新时间： 2024-11-23 22:12:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SD1010 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.89最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SD1010 数据手册

 浏览型号2SD1010的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1010  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
4.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
High emitter to base voltage VEBO  
.
Low noise voltage NV.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.45–+00..12  
0.45–+00..12  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1.27  
1.27  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
40  
V
1 2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
15  
V
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
2.54±0.15  
IC  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
300  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
1
Unit  
VCB = 20V, IE = 0  
nA  
µA  
V
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
50  
40  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
15  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
400  
1000  
0.05  
200  
2000  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
Noise voltage  
NV  
80  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000  
1
12

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