5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1011
2SD1011 PDF预览

2SD1011

更新时间： 2024-11-26 21:55:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD1011 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：SC-43A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SD1011 数据手册

 浏览型号2SD1011的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1011  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
4.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
High emitter to base voltage VEBO  
.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.45–+00..12  
0.45–+00..12  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
100  
100  
1.27  
1.27  
V
15  
V
1 2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
50  
mA  
mA  
mW  
˚C  
IC  
20  
2.54±0.15  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
300  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
1
Unit  
VCB = 60V, IE = 0  
nA  
µA  
V
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 60V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
100  
100  
15  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
400  
1200  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.05  
200  
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
Noise voltage  
NV  
80  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
400 ~ 800 600 ~ 1200  
1
12

中文翻译

下载PDF

与2SD1011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1012 SANYO

获取价格

 		Low-Voltage Large-Current Amp Applications
2SD1012F ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK
2SD1012F-SPA ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 500-BL
2SD1012F-SPA-AC ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 2500-R
2SD1012G ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK
2SD1012G-SPA ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 500-BL
2SD1012G-SPA-AC ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 2500-R
2SD1012H ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK
2SD1015 SONY

获取价格

 		SILICON NPN LEC SYMMETRY TRANSISTOR
2SD1020 NEC

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR

与2SD1011相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证