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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1010 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
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| 2SD1010R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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| 2SD1010S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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| 2SD1010T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SD1011 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification |
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| 2SD1012 | SANYO |
获取价格 |
Low-Voltage Large-Current Amp Applications |
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| 2SD1012F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
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| 2SD1012F-SPA | ONSEMI |
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Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 500-BL |
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| 2SD1012F-SPA-AC | ONSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat), NPN Single SPA, TO-92 3 3.0x4.0 / SPA, 2500-R |
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| 2SD1012G | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
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