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2SC5816F

更新时间： 2025-07-29 06:00:43

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3页	135K
描述
Transistor

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2SC5816F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC5816F 数据手册

〈Transistor〉

2SC5814，2SC5815，2SC5816，2SC5817

For Low Frequency Amplify Application

Silicon NPN Epitaxial Type

OUTLINE DRAWING

Unit：ｍｍ

DESCRIPTION

2SC5814

2SC5815

2SC5814，2SC5815，2SC5816，2SC5817 is a super mini package

silicon NPN epitaxial type transistor. It is designed for low frequency

voltage amplify application.

2.1

2.5

0.425 1.25 0.425

0.5

1.5

0.5

①

②

③

FEATURE

●Facilitates miniaturization and high-density mounting

●Excellent linearity of DC forward current gain

●Low collecter to emitter saturation voltage

VCE(sat)=0.3V max (@IC=30mA,IB=1.5mA)

JEITA：SC-59

JEITA：SC-70

JEDEC：－

APPLICATION

JEDEC：similar to TO-236

For hybrid IC , small type machine low frequency voltage amplify

application

Electrode connections

①：base

Electrode connections

①：base

②：emitter

③：collecter

2SC5816

③：collecter

2SC5817

1.6

1.2

0.8

0.4

0.8

0.4

①

②

①

③

②

MARKING

③

ＥＲ

JEITA：－

JEDEC：－

JEITA：－

JEDEC：－

TYPE NAME

ｈＦＥ ITEM

Electrode connections

①：base

②：emitter

Electrode connections

①：base

②：emitter

③：collecter

MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

RATINGS

SYMBOL

PARAMETER

UNIT

2SC5814

2SC5815

2SC5816

2SC5817

V_CBO

V_EBO

V_CEO

I _C

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

125

P_C

Collector dissipation

150

125

100

℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

＋125

T_stg

-55～＋125

℃

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12 3

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