2SC5825TLQ

更新时间： 2024-01-27 19:20:35

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN

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2SC5825TLQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	CPT3, SC-63, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn98Cu2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5825TLQ 数据手册

2SC5825

Transistors

Power transistor (60V, 3A)

2SC5825

zDimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) High speed switching.

(Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)

2) Low saturation voltage, typically

CPT3

(SC-63)

<SOT-428>

(Typ. 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SA2073

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : C5825

zApplications

Low frequency amplifier

High speed switching

zStructure

NPN Silicon epitaxial planar transistor

zPackaging specifications

Package

Taping

Code

Type

Basic ordering unit (pieces)

2500

2SC5825

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Continuous

Collector current

Pulsed

∗1

∗2

∗3

°C

1.0

Power dissipation

10.0

Junction temperature

150

Tstg

Range of storage temperature

−55 to 150

∗1 Pw=10ms

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

∗3 Tc=25°C

Rev.A

1/3

12 3 4

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