5秒后页面跳转
2SC5824T100Q PDF预览

2SC5824T100Q

更新时间: 2024-02-03 15:33:30
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 559K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 PIN

2SC5824T100Q 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:MPT3, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:1.72外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SC5824T100Q 数据手册

 浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC5824T100Q的Datasheet PDF文件第7页 
2SC5824  
Datasheet  
NPN 3.0A 60V Middle Power Transistor  
Outline  
MPT3  
Parameter  
VCEO  
IC  
Value  
60  
Base  
3A  
Collector  
Emitter  
2SC5824  
(SC-62)  
Features  
<SOT-89>  
1) Suitable for Middle Power Driver  
2) Complementary PNP Types : 2SA2071  
3) Low VCE(sat)  
VCE(sat)=0.50V(Max.)  
(IC/IB=2A/200mA)  
4) Lead Free/RoHS Compliant.  
Inner circuit  
Collector  
Applications  
Motor driver , LED driver  
Power supply  
Base  
Emitter  
Packaging specifications  
Package  
size  
(mm)  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Taping  
code  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
MPT3  
Marking  
UP  
(mm)  
(mm)  
2SC5824  
4540  
T100  
180  
12  
1,000  
Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
VCBO  
Values  
Unit  
V
60  
60  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
6
V
3.0  
6.0  
0.5  
2.0  
150  
A
DC  
Collector current  
*1  
A
Pulsed  
ICP  
*2  
W
W
°C  
PD  
Power dissipation  
*3  
PD  
Tj  
Junction temperature  
Tstg  
°C  
Range of storage temperature  
*1 Pw=100ms , single pulse  
55 to 150  
*2 Each terminal mounted on a reference land  
*3 Mounted on a ceramic board (40×40×0.7 mm)  
www.rohm.com  
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2013.11 - Rev.E  
1/6  

2SC5824T100Q 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5824T100 ROHM

类似代替

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP

与2SC5824T100Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5824T100R ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 P
2SC5824U SWST

获取价格

功率三极管
2SC5825 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)
2SC5825_07 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)
2SC5825_09 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)
2SC5825_10 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)
2SC5825_11 ROHM

获取价格

Power transistor
2SC5825TLQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CPT3, SC-
2SC5826 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)
2SC5826_11 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 3A)