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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.01 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 标称过渡频率 (fT)： | 13000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5331 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, C |
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| 2SC5332 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, C |
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| 2SC5333 | SANKEN |
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Series Regulator, Switch, and General Purpos |
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| 2SC5335 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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| 2SC5335(TENTATIVE) | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type |
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| 2SC5335R | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3 |
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| 2SC5335S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3 |
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| 2SC5335T | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3 |
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| 2SC5336 | NEC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
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| 2SC5336 | RENESAS |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
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