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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 550 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5117 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC5118 | ETC |
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TRANSISTORS |
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| 2SC5118F31 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic |
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| 2SC5119 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC5119TL | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC5119TR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC512 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39 |
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| 2SC5120 | HITACHI |
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High frequency amplifier |
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| 2SC5121 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type |
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| 2SC5122 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
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