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2SC5127A

更新时间： 2024-11-26 22:52:43
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC5127A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220E
包装说明：TO-220E, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHz

2SC5127A 数据手册

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Power Transistors  
2SC5127, 2SC5127A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
4.6±0.2  
Features  
High-speed switching  
■
9.9±0.3  
2.9±0.2  
●
φ3.2±0.1  
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Full-pack package with outstanding insulation, which can be in-  
stalled to the heat sink with one screw  
2.6±0.1  
0.7±0.1  
1.2±0.15  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
1.45±0.15  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.75±0.1  
Collector to  
2SC5127  
2SC5127A  
2SC5127  
800  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
900  
800  
1
2 3  
7°  
VCES  
V
emitter voltage 2SC5127A  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
900  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
VCEO  
VEBO  
ICP  
500  
V
V
A
A
A
8
TO–220E Full Pack Package  
3.0  
IC  
1.5  
Base current  
IB  
0.5  
Collector power TC=25°C  
25  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
100  
Unit  
2SC5127  
VCB = 800V, IE = 0  
µA  
current  
2SC5127A  
VCB = 900V, IE = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 5V, IC = 0  
µA  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
500  
15  
8
V
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 5V, IC = 0.6A  
IC = 0.6A, IB = 0.17A  
IC = 0.6A, IB = 0.17A  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.0  
1.5  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
20  
MHz  
µs  
1.0  
3.0  
0.3  
IC = 0.6A, IB1 = 0.17A, IB2 = – 0.34A,  
VCC = 200V  
µs  
µs  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5128 PANASONIC

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