2SC5130

更新时间： 2024-11-23 22:52:43

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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC5130 数据手册

2 S C5 1 3 0

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Application : Switching Regulator and General Purpose

External Dimensions FM20(TO220F)

■

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

2SC5130

Unit

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

100max

10max

400min

10 to 30

0.5max

1.3max

20typ

600

400

V^CB=500V

2.8

IEBO

V^EB=10V

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=1.5A

I^C=1.5A, IB=0.3A

V^CE=12V, IE=–0.3A

V^CB=10V, f=1MHz

5(Pulse10)

VCE(sat)

VBE(sat)

30(Tc=25°C)

150

°C

MHz

±0.15

1.35

Tstg

COB

30typ

±0.15

1.35

–55 to +150

+0.2

-0.1

0.85

2.54

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

±0.2

2.2

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

I^B2

(A)

ton

(µs)

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

IB1

(A)

tstg

(µs)

C E

b. Lot No.

–0.3

1max

0.3max

200

133

1.5

–5

0.15

2max

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IC Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

1.5

IC/IB=5 Const.

1.0

125˚C (Case Temp)

0.5

25˚C (Case Temp)

I^B=50mA

–55˚C (Case Temp)

0.01

0.05 0.1

0.5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

Collector Current IC(A)

–

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

ton•tstg•t^fI^CCharacteristics (Typical)

^j-at Characteristics

(VCE=4V)

125˚C

t^stg

25˚C

–55˚C

0.5

ton

VCC

200V

0.5

0.4

IC:IB1:–IB2=10:1:2

0.1

100

1000

0.1

0.5

0.01

0.05 0.1

0.5

Collector Current IC(A)

Time t(ms)

Collector Current IC(A)

Safe Operating Area (Single Pulse)

Reverse Bias Safe Operating Area

–

Pc Ta Derating

Without Heatsink

Natural Cooling

L=3mH

–IB2=0.5A

Duty:less than 1%

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.1

100

500

100

500

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

129

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2SC5130 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC5130	ALLEGRO	功能相似	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC5136	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC5136TI	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
2SC5136TI-TL	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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2SC5137	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC5137YA	RENESAS	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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