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2SC5130_01

更新时间： 2024-11-27 07:31:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

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2SC5130_01 数据手册

  
2 S C5 1 3 0  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
ICBO  
Ratings  
100max  
10max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
20typ  
Ratings  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
600  
400  
VCB=500V  
V
2.8  
IEBO  
VEB=10V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
10  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=1.5A  
IC=1.5A, IB=0.3A  
IC=1.5A, IB=0.3A  
VCE=12V, IE=–0.3A  
VCB=10V, f=1MHz  
5(Pulse10)  
2
a
b
A
V
V
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
±0.15  
1.35  
Tstg  
COB  
30typ  
±0.15  
1.35  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
2.54  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
±0.2  
2.2  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tf  
(µs)  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
tstg  
(µs)  
B
C E  
b. Lot No.  
–0.3  
1max  
0.3max  
200  
133  
1.5  
10  
–5  
0.15  
2max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IC Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
5
5
1.5  
IC/IB=5 Const.  
4
3
2
1
0
4
3
1.0  
2
1
0
125˚C (Case Temp)  
0.5  
25˚C (Case Temp)  
IB=50mA  
–55˚C (Case Temp)  
0
0.01  
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
5
2
1
50  
125˚C  
tstg  
25˚C  
–55˚C  
0.5  
1
ton  
10  
5
tf  
VCC  
200V  
0.5  
0.4  
IC:IB1:–IB2=10:1:2  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
0.5  
1
3
0.01  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
30  
20  
10  
20  
10  
5
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
–IB2=0.5A  
Duty:less than 1%  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
2
0
0.1  
0.1  
5
5
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
130  
1

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