5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220FP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 550 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5118 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTORS |
|
| 2SC5118F31 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic |
|
| 2SC5119 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5119TL | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5119TR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC512 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39 |
|
| 2SC5120 | HITACHI |
获取价格 |
High frequency amplifier |
|
| 2SC5121 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion planar type |
|
| 2SC5122 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SC5122_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
