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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 550 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5119 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC5119TL | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5119TR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC512 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39 |
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| 2SC5120 | HITACHI |
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High frequency amplifier |
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| 2SC5121 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type |
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| 2SC5122 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC5122_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Triple Diffused Type |
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| 2SC5122TPE6 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| 2SC5124 | SANKEN |
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Display Horizontal Deflection Output, Switch |
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