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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.22 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
VHF/UHF Transistor |
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| BFP193W | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
|
| BFR193W | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5108_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application |
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| 2SC5108F-O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC5108FT | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) |
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| 2SC5108FT(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416 |
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| 2SC5108FT_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application |
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| 2SC5108FTO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416 |
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| 2SC5108FT-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP RF Smal |
|
| 2SC5108FT-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416 |
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| 2SC5108FTY | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416 |
|
| 2SC5108FT-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP RF Smal |
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