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2SC5108FT-O(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-18 22:46:06
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416

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2SC5108FT-O(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.03 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：80
最高工作温度：125 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：4000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5108FT-O(TE85L,F) 数据手册

 浏览型号2SC5108FT-O(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页 
2SC5108FT  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type  
2SC5108FT  
For VCO Application  
Unit: mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
20  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Base current  
10  
3
15  
V
I
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
B
Collector current  
I
30  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
T
j
125  
T
stg  
−55 to 125  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
TOSHIBA  
2-1B1A  
Weight: 2.2mg (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 10 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
1
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= 1 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
DC current gain  
V
= 5 V, I = 5 mA  
80  
⎯
240  
CE  
C
(Note 1)  
Transition frequency  
Insertion gain  
f
V
V
= 5 V, I = 5 mA  
4
6
⎯
⎯
GHz  
dB  
pF  
T
CE  
CE  
C
2
⎪S  
⎪
= 5 V, I = 5 mA, f = 1 GHz  
7
11  
21e  
C
Output capacitance  
C
⎯
⎯
⎯
0.7  
0.5  
5.5  
⎯
ob  
V
V
= 5 V, I = 0, f = 1 MHz  
(Note 2)  
CB  
CB  
E
Reverse transfer capacitance  
Collector-base time constant  
C
0.9  
15  
pF  
re  
C ･r  
’
= 5 V, I = 3 mA, f = 30 MHz  
ps  
c
bb  
C
Note 1:  
Note 2:  
h
classification O: 80 to 160, Y: 120 to 240  
FE  
C
is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.  
re  
Marking  
1
2010-03-18  
12

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与2SC5108FT-O(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5108FTY ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416
2SC5108FT-Y TOSHIBA

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1B1A, TESM, 3 PIN, BIP RF Smal
2SC5108FT-Y(TE85L) TOSHIBA

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 		2SC5108FT-Y(TE85L)
2SC5108FT-Y(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-416
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 		暂无描述
2SC5108O ETC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor

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