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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5109-YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION) |
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| 2SC5110_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application |
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| 2SC5110O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC5110-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP RF Small |
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| 2SC5110-O(TE85L) | TOSHIBA |
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2SC5110-O(TE85L) |
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| 2SC5110-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,60MA I(C),SC-70 |
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| 2SC5110-OTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110-OTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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