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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.35 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A | 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5110_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application |
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| 2SC5110O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC5110-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP RF Small |
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| 2SC5110-O(TE85L) | TOSHIBA |
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2SC5110-O(TE85L) |
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| 2SC5110-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,60MA I(C),SC-70 |
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| 2SC5110-OTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110-OTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC5110Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC5110-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP RF Small |
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