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2SC5110

更新时间: 2024-01-05 16:59:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 239K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (FOR VCO APPLICATION)

2SC5110 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.35
最大集电极电流 (IC):0.06 A基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):6000 MHzBase Number Matches:1

2SC5110 数据手册

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与2SC5110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5110_07 TOSHIBA

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Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application
2SC5110O ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70
2SC5110-O TOSHIBA

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2SC5110-O(TE85L) TOSHIBA

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2SC5110-O(TE85L)
2SC5110-O(TE85L,F) TOSHIBA

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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,60MA I(C),SC-70
2SC5110-OTE85L TOSHIBA

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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5110-OTE85R TOSHIBA

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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5110TE85R TOSHIBA

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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC5110Y ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70
2SC5110-Y TOSHIBA

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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP RF Small