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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.28 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5111-Y | TOSHIBA |
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2SC5111-Y(TE85L) |
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| 2SC5111-Y(TE85L) | TOSHIBA |
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2SC5111-Y(TE85L) |
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| 2SC5111-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,60MA I(C),SOT-416 |
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| 2SC5112 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC5113 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC5113C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SC5114 | ETC |
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TRANSISTORS |
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| 2SC5115 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC5115TL | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SC5115TR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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