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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5115 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5115TL | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5115TR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5116 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC5116C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SC5117 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC5118 | ETC |
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TRANSISTORS |
|
| 2SC5118F31 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic |
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| 2SC5119 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SC5119TL | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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