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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2 pF | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 40 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4700T107N | ROHM |
获取价格 |
200mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4702 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4702 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4702 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4702 | TYSEMI |
获取价格 |
High breakdown voltage VCEO = 300 V Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. |
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| 2SC4702_11 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4702XV | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4702XV-01 | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK- |
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| 2SC4702XV-TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC4702XV-TL | RENESAS |
获取价格 |
50mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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