2SC4702

更新时间： 2024-10-26 06:25:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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Silicon NPN Epitaxial

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2SC4702 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4702 数据手册

2SC4702

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0729-0300

(Previous ADE-208-1120A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

High voltage amplifier

Features

•

High breakdown voltage

V_CEO= 300 V

•

Small Cob

Cob = 1.5 pF Typ.

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note:

Marking is “XV–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

300

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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